对比图
型号 BSC060P03NS3EG BSC084P03NS3G BSC084P03NS3EG
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能30V,-14.9A,P沟道功率MOSFET30V,8.4mΩ,-78.6A,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 8 - -
封装 TDSON - -
极性 P-Channel - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 83 W - -
长度 6.35 mm - -
宽度 5.35 mm - -
高度 1.1 mm - -
封装 TDSON - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -
REACH SVHC标准 No SVHC - -