对比图
型号 IRF7807Z IRF7807ZTRPBF IRF7807ZPBF
描述 SOIC N-CH 30V 11AIRF7807ZTRPBF 编带INFINEON IRF7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 11.0 A - -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7807Z - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A 11A
上升时间 6.20 ns 6.2 ns 6.2 ns
输入电容(Ciss) 770pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 18.2 mΩ 0.0138 Ω
阈值电压 - 1.8 V 1.8 V
输入电容 - 770 pF 770pF @15V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
下降时间 - 3.1 ns 3.1 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm 3.9 mm
高度 - 1.75 mm 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Obsolete
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17