IXTP160N10T和IXTQ160N10T

对比图

型号 IXTP160N10T IXTQ160N10T IXTA160N10T

描述 N沟道 100V 160ATO-3P N-CH 100V 160AMOSFET N-CH 100V 160A TO-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 7 mΩ - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 430 W 430W (Tc) 430W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 160A 160A -

上升时间 61 ns - -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 430 W - -

下降时间 42 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.15 mm - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free