对比图
型号 PTVA104501EHV1R0XTMA1 PTVA104501EHV1XWSA1
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管Trans MOSFET N-CH 105V 2Pin H-33288 Tray
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount
封装 H-33288-2 H-33288-2
增益 17.5 dB 17.0 dB
电源电压 - 50.0 V
频率 960MHz ~ 1.215GHz -
输出功率 450 W -
测试电流 200 mA -
工作温度(Max) 225 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
额定电压 105 V -
封装 H-33288-2 H-33288-2
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -