对比图
型号 FDS9933A SI4943BDY-T1-E3 FDS9933
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9933A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V
额定电流 -3.80 A - -5.00 A
漏源极电阻 0.075 Ω 19 mΩ 55.0 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2.00 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.80 A -8.40 A 5.00 A
输入电容(Ciss) 600pF @10V(Vds) - 825pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 1.1 W 900 mW
通道数 2 - -
针脚数 8 - -
输入电容 600 pF - -
栅电荷 7.00 nC - -
漏源击穿电压 20.0 V - -
上升时间 9 ns 10 ns -
下降时间 28 ns 60 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 900 mW 2000 mW -
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.75 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99