对比图
型号 BSC031N06NS3GATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1
描述 INFINEON BSC031N06NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
额定功率 139 W 74 W 83 W
通道数 - 1 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0025 Ω 2.8 mΩ 0.0025 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 139 W 74 W 83 W
阈值电压 3 V 2.1 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100A
上升时间 161 ns 5 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 11000pF @30V(Vds) 2400pF @30V(Vds) 2700pF @30V(Vds)
下降时间 16 ns 5 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc) 2500 mW 2.5W (Ta), 83W (Tc)
漏源击穿电压 - 60 V -
长度 5.35 mm 5.9 mm 6.1 mm
宽度 6.1 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 1.1 mm 1.27 mm 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17