IPI65R380C6和STP11NM65N

对比图

型号 IPI65R380C6 STP11NM65N STB11NM65N

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道650 V， 0.425 I©典型值，11是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET采用DPAK ， TO- 220FP ， I²PAKFP和TO- 220封装 N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmesh™II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packagesD2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK

通道数 1 - -

漏源极电阻 380 mΩ - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 83 W 125 W -

漏源极电压(Vds) 700 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 700 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.6A - 12A

上升时间 12 nS 13 ns -

输入电容(Ciss) 710pF @100V(Vds) 800pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 83 W 110 W -

下降时间 11 nS 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 83 W 110W (Tc) -

长度 10.2 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.45 mm - -

封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -