IRFL024NTR和IRFL024NTRPBF

对比图

型号 IRFL024NTR IRFL024NTRPBF IRFL024N

描述 SOT-223 N-CH 55V 4AINFINEON  IRFL024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VSOT-223 N-CH 55V 4A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 4 3 -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 2.80 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 1W (Ta) 1 W 1W (Ta)

产品系列 - - IRFL024N

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 4A 4A 2.80 A

上升时间 13.4 ns 13.4 ns 13.4 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

下降时间 17.7 ns 17.7 ns 17.7 ns

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)

额定功率 - 2.1 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 400 pF -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.8 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead