BZV55B3V9和TZMB3V9-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55B3V9 TZMB3V9-GS08 BZV55B3V9TRL

描述 Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,VISHAY  TZMB3V9-GS08  齐纳二极管, 500mW, 3.9V, SOD-803.9V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 - SOD-80 -

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 3.9 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 - SOD-80 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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