对比图
型号 CY7C1513KV18-200BZXI GS8662D18GE-200I CY7C1513AV18-200BZI
描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture72Mb SigmaQuad-II Burst of 4 SRAM72兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 165 - 165
封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165
高度 0.89 mm - 0.89 mm
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free - Contains Lead
供电电流 440 mA - -
位数 18 - -
存取时间 0.45 ns - 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - - 1.9 V
电源电压(Min) - - 1.7 V
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)
ECCN代码 3A991.b.2.a - -