对比图
型号 2N6788U IRFE120 IRFE120-JQR-BE4
描述 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFETLLCC N-CH 100V 4.5A4.5A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC4-18
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) Semelab
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - -
封装 BQFN-18 LLCC -
引脚数 - 18 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 800mW (Tc) - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.5A -
额定功率(Max) 800 mW - -
耗散功率(Max) 800mW (Tc) 14000 mW -
上升时间 - 70 ns -
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds) -
下降时间 - 70 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 BQFN-18 LLCC -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - -