AD8512AR-REEL7和AD8512ARMZ-REEL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8512AR-REEL7 AD8512ARMZ-REEL TL082ACDG4

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersJFET输入运算放大器 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 MSOP-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 36.0 V

供电电流 2.2 mA 2.2 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - - 0.68 W

共模抑制比 86 dB 86 dB 75 dB

输入补偿漂移 - - 18.0 µV/K

带宽 - 8.00 MHz 3 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 3 MHz

输入补偿电压 100 µV 100 µV 3 mV

输入偏置电流 25 pA 25 pA 30 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 8 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) - - 680 mW

共模抑制比(Min) - 86 dB 75 dB

电源电压 - - 7V ~ 36V

电源电压(Max) - - 36 V

电源电压(Min) - - 7 V

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - 0.85 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 MSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

军工级 No No -

香港进出口证 NLR - -

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