对比图
型号 IXFH36N60P IXFT36N60P IXFK36N60P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5VTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3Pin(3+Tab) TO-264AA
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 36.0 A 36.0 A 36.0 A
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.19 Ω 190 mΩ 190 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 650 W 650 W 650 W
阈值电压 5 V 5 V -
输入电容 5.80 nF 5.80 nF 5.80 nF
栅电荷 102 nC 102 nC 102 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 36.0 A
上升时间 25 ns - 25 ns
反向恢复时间 200 ns 200 ns -
输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns - 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 650W (Tc) 650W (Tc) 650W (Tc)
通道数 - - 1
额定功率(Max) - 650 W 650 W
长度 16.26 mm - 19.96 mm
宽度 5.3 mm - 5.13 mm
高度 21.46 mm - 26.16 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -