PBSS9110X,135和BZX84-C18,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS9110X,135 BZX84-C18,215 PBSS9110X

描述 NXP PBSS9110X,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装Nexperia BZX84-C18,215 单路 齐纳二极管, 18V 5% 250 mW, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-89

极性 - - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 100 V - 100 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 150 @500mA, 5V - 125

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2 W 250 mW 2 W

容差 - ±5 % -

针脚数 3 3 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 550 mW 250 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 18 V -

正向电压(Max) - 0.9 V -

额定功率(Max) 2 W 250 mW -

额定功率 2 W - -

上升时间 60 ns - -

直流电流增益(hFE) 150 - -

下降时间 120 ns - -

长度 4.6 mm 3 mm 4.6 mm

宽度 2.6 mm 1.4 mm 2.6 mm

高度 1.6 mm 1 mm 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-89

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 - 14.4 mV/K -

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