KTC3770S-B和KTC3770S-C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KTC3770S-B KTC3770S-C NE85633-T1B-A

描述 KTC3770S-B NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7MHz 80~160 SOT-23/SC-59 marking/标记 RB VHF/UHF宽频带放大器ktc3770s-c NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7MHz 125~251 SOT-23/SC-59 marking/标记 rc VHF/UHF宽频带放大器RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) NEC (日本电气)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

安装方式 - - Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - - Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

额定电压(DC) - - 12.0 V

额定电流 - - 100 mA

击穿电压(集电极-发射极) - - 12 V

增益 - - 9 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @20mA, 10V

额定功率(Max) - - 200 mW

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