TP2640LG-G和ZVN0545A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TP2640LG-G ZVN0545A TN5335K1-G

描述 Trans MOSFET P-CH 400V 0.21A 8Pin SOIC NN沟道 450V 90mA晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 3 3

封装 SOIC-8 TO-92-3 SOT-23-3

额定功率 0.74 W - 0.36 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 15.0 Ω 50 Ω 15 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.3 W 700 mW 0.36 W

阈值电压 - 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 400 V 450 V 350 V

连续漏极电流(Ids) - 90.0 mA 0.11A

上升时间 - 7 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 70pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)

下降时间 - 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 740mW (Ta) 700 mW 360mW (Ta)

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定电压(DC) - 450 V -

额定电流 - 90.0 mA -

漏源击穿电压 - 450 V -

额定功率(Max) - 700 mW -

封装 SOIC-8 TO-92-3 SOT-23-3

长度 - 4.77 mm -

宽度 - 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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