PSMN015-100B/T3和PSMN015-100B,118

对比图

型号 PSMN015-100B/T3 PSMN015-100B,118 PSMN015-100B

描述 MOSFET Power TAPE13 PWR-MOSD2PAK N-CH 100V 75AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 75.0 A - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 15 mΩ - -

耗散功率 300 W 300 W -

输入电容 4.90 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75A 75A

上升时间 65 ns 65 ns -

下降时间 50 ns 50 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

极性 - N-CH N-CH

输入电容(Ciss) - 4900pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

宽度 - 9.4 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -