ISL9V5036P3和ISL9V5036S3S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9V5036P3 ISL9V5036S3S ISL9V5036S3ST

描述 Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeEcoSPARKTM 500mJ , 360V , N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 500mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBTON Semiconductor ISL9V5036S3ST N沟道 IGBT, 46 A, Vce=420 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 250000 mW 250000 mW 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 390 V 390 V 390 V

额定功率(Max) 250 W 250 W 250 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW 250000 mW

额定电压(DC) - 360 V -

额定电流 - 31.0 A -

上升时间 - 2.10 µs -

针脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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