P0805K1000FN和PHT0805E1000FGT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P0805K1000FN PHT0805E1000FGT PHT0805Y1000FGT

描述 Thin Film Resistors - SMD P 0805 K 1000F N WP e2薄膜电阻器 - SMD PHT 0805 E 1000 F G TR e4Thin Film Resistors - SMD 100Ω 1% 10PPM

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼)

分类

基础参数对比

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

额定功率 200 mW 60 mW 60 mW

电阻 100 Ω 100 Ω 100 Ω

额定电压 150 V 150 V 150 V

容差 - 1 % -

工作温度(Max) - 215 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 1.91 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.27 mm 1.2 mm 1.2 mm

高度 0.5 mm - -

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

工作温度 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 215℃ 55℃ ~ 215℃

温度系数 ±100 ppm/℃ ±30 ppm/℃ ±15 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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