MPS2907AG和MPS2907ARLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS2907AG MPS2907ARLG PN2907ABU

描述 ON SEMICONDUCTOR  MPS2907AG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 200 hFE通用晶体管 General Purpose TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2907ABU  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -800 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW 0.625 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 83.3℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 - 300

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 200 100 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 - 200 MHz -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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