BZV55-B9V1和BZV55-B9V1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B9V1 BZV55-B9V1,115 BZT55C9V1

描述 BZV55-B9V1 稳压二极管 9.1V 500mW/0.5W SOD80/LL34-9.1V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准NXP  BZV55-B9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CTAIWAN SEMICONDUCTOR  BZT55C9V1  ZENER DIODE, 0.5W, 9.1V, MINIMELF 新

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

针脚数 - 2 2

耗散功率 - 400 mW 500 mW

稳压值 - 9.1 V 9.1 V

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 5 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 5.5 mV/K -

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