MUN5232DW1T1和PDTC123EU,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5232DW1T1 PDTC123EU,115

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNXP PDTC123EU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363-6 SOT-323-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 50.0 V -

额定电流 100 mA -

极性 NPN -

耗散功率 187 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

长度 2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SOT-323-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99

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