199D476X9010D1V1E3和199D476X96R3D2B1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D476X9010D1V1E3 199D476X96R3D2B1E3 MCDT47K10-1-RH

描述 VISHAY  199D476X9010D1V1E3  钽电容, 47uF 10V 10%CAP TANT 47uF 6.3V 10% RADIALMULTICOMP  MCDT47K10-1-RH  钽电容, 47uF 10%容差 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Multicomp

分类 钽电容电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Radial - D

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

引脚数 - - 2

额定电压(DC) 10.0 V - 10.0 V

电容 47 µF 47.0 µF 47 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压 10 V 6.3 V 10 V

等效串联电阻(ESR) - - 1.7 Ω

产品系列 - - MCDT

高度 10.16 mm - 9.5 mm

封装 Radial - D

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

直径 - - Φ5mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

包装方式 Each Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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