50MT060ULS和50MT060ULSAPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 50MT060ULS 50MT060ULSAPBF

描述 IGBT UFAST 600V 100A MTPInsulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MTP, 10Pin

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

封装 MTP-10 -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V -

输入电容(Cies) 14.7nF @30V -

额定功率(Max) 445 W -

封装 MTP-10 -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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