IXTP14N60P和IXTQ14N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP14N60P IXTQ14N60P IXTA14N60P

描述 Trans MOSFET P-CH 600V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220通孔 N 通道 600V 14A(Tc) TO-3PN沟道 600V 14A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 14.0 A 14.0 A 14.0 A

耗散功率 300 W 300W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 2.30 nF 2.30 nF 2.30 nF

栅电荷 36.0 nC 36.0 nC 36.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

上升时间 27 ns 27 ns -

下降时间 26 ns 26 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - -

漏源极电阻 450 mΩ - -

阈值电压 5.5 V - -

漏源击穿电压 600 V - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3

长度 10.66 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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