IRF4905PBF和STP80PF55

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF4905PBF STP80PF55 IRF4905STRLHR

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF4905PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 74A, TO-220AB 新P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 55V 74A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 D2PAK

额定电压(DC) -55.0 V -55.0 V -

额定电流 -74.0 A -80.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.02 Ω 0.018 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 200 W 300 W 3.8 W

产品系列 IRF4905 - -

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

漏源击穿电压 -55.0 V 55.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) -74.0 A 80.0 A -

上升时间 99 ns 190 ns -

输入电容(Ciss) 3400pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 200 W 300 W -

下降时间 96 ns 80 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 300W (Tc) -

通道数 - 1 -

长度 10.54 mm 10.4 mm -

高度 15.24 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 D2PAK

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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