IRF2907ZPBF和STP160N75F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2907ZPBF STP160N75F3 FDP032N08

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 3.5 mΩ 0.0025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 330 W 375 W

阈值电压 - 4 V 3.5 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 235A

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 15160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 330 W 375 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 330W (Tc) 375W (Tc)

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

产品系列 IRF2907Z - -

上升时间 140 ns 65 ns -

通道数 - 1 -

下降时间 - 15 ns -

长度 - 10.4 mm 10.1 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 15.75 mm 15.38 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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