MJ4502和MJ4502G

对比图

型号 MJ4502 MJ4502G

描述 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICONON SEMICONDUCTOR  MJ4502G  单晶体管 双极, 通用, P沟道, 100 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 PNP BJT双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 2

封装 TO-3 TO-204-2

频率 - 2 MHz

额定电压(DC) -100 V -100 V

额定电流 -30.0 A 30.0 A

针脚数 - 2

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 200 W

增益频宽积 - 2 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

热阻 - 0.875℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 30A 30A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @7.5A, 2V 25

额定功率(Max) 200 W 200 W

直流电流增益(hFE) - 100

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 100 -

长度 - 39.37 mm

宽度 - 26.67 mm

高度 - 8.51 mm

封装 TO-3 TO-204-2

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray Tray

最小包装 100 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99