IPP065N06LG和IPP070N06LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP065N06LG IPP070N06LG SPI80N06S2-07

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220 TO-262-3-1

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A

极性 - - N-CH

耗散功率 - - 250W (Tc)

输入电容 5.10 nF 4.30 nF 4.54 nF

栅电荷 157 nC 126 nC 110 nC

漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A

输入电容(Ciss) - 4300pF @30V(Vds) 4540pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 250W (Tc)

额定功率(Max) - 214 W -

封装 TO-220 TO-220 TO-262-3-1

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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