对比图
型号 2910 IRL2910PBF IRL2910
描述 Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 100V 55A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220
额定功率 - 200 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.026 Ω -
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 200 W 200 W
阈值电压 - 2 V -
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100V (min)
连续漏极电流(Ids) - 55A 55.0 A
上升时间 - 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) - 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
下降时间 - 55 ns 55 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200W (Tc) 200000 mW
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 55.0 A
产品系列 - - IRL2910
长度 - 10.54 mm -
宽度 - 4.69 mm -
高度 - 8.77 mm -
封装 - TO-220-3 TO-220
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -