BLF246B和BLF246B,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF246B BLF246B,112 MRF275G

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 8A 8Pin CDFM Bulk射频MOSFET线150W ,为500MHz , 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 8 5

封装 - SOT-161 375-04

安装方式 Flange Screw -

频率 - 175 MHz 500 MHz

额定电流 8.00 A 8 A 26 A

额定功率 - - 400 W

耗散功率 - - 400 W

输出功率 60.0 W 60 W 150 W

增益 14.0 dB 19 dB 11.2 dB

测试电流 - 50 mA 100 mA

工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 130000 mW 400000 mW

额定电压 - - 65 V

输入电容(Ciss) - 125pF @28V(Vds) -

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

漏源击穿电压 65.0V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

封装 - SOT-161 375-04

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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