对比图
型号 STB60NF06 STB60NF06L STB60NF06LT4
描述 N沟道60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFETN沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
引脚数 - - 3
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 60.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.016 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 - - 110 W
阈值电压 - - 1 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 60A - 60.0 A
上升时间 - - 220 ns
输入电容(Ciss) - - 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 110W (Tc)
封装 D2PAK D2PAK TO-263-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -65℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99