VBT2080C-E3/8W和VBT2080C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT2080C-E3/8W VBT2080C-E3/4W

描述 双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 810mV @10A 810 mV

正向电流 - 20 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

工作结温 - 150℃ (Max)

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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