MV2109G和MV834

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MV2109G MV834 KSV2109

描述 硅调谐二极管 Silicon Tuning DiodesVariable Capacitance Diode, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) M/A-Com M/A-Com

分类 变容二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - -

封装 TO-92-2 - -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 16.0 A - -

电容 33.0 pF - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-2 - -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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