IXFT12N90Q和IXFX12N90Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT12N90Q IXFX12N90Q IXFH12N90P

描述 MOSFET N-CH 900V 12A TO-268Trans MOSFET N-CH 900V 12A 3Pin(3+Tab) PLUS 247IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 900 mΩ - 0.9 Ω

耗散功率 300 W 300W (Tc) 380 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V - -

上升时间 23 ns - 34 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns - 68 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 380W (Tc)

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 3.5 V

连续漏极电流(Ids) - - 6A

长度 16.13 mm - -

宽度 5.21 mm - -

高度 21.34 mm - -

封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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