2SC5358-O(Q)和FJA4313OTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC5358-O(Q) FJA4313OTU

描述 TO-3PN NPN 230V 15ANPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-3 TO-3-3

频率 30 MHz 30 MHz

额定电压(DC) - 140 V

额定电流 - 10.0 A

极性 NPN NPN

耗散功率 150 W 130 W

击穿电压(集电极-发射极) 230 V 250 V

集电极最大允许电流 15A 17A

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @7A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 160

额定功率(Max) - 130 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 130000 mW

长度 - 15.8 mm

宽度 - 5 mm

高度 - 18.9 mm

封装 TO-3 TO-3-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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