对比图
型号 APT33GF120BRG HGTG20N60A4D NGTB25N120IHLWG
描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
耗散功率 297 W 290 W 192 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 1200 V
额定功率(Max) 297 W 290 W 192 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 297000 mW 290000 mW 192 W
上升时间 - 12 ns -
反向恢复时间 - 35 ns -
下降时间 - 32 ns -
额定电压(DC) 1.20 kV - -
额定电流 33.0 A - -
长度 21.46 mm - 16.26 mm
宽度 16.26 mm - 5.3 mm
高度 5.31 mm - 21.08 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99