对比图
型号 PMBFJ174 PMBFJ177,215 JANTXV2N5116
描述 PMBFJ174 P沟道结型场效应管 30 V =K40-20.0~-135.0mA SOT-23 marking/标记 W6XP 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。Trans JFET P-CH
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Solitron Devices
分类 JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
击穿电压 - 30.0 V -
漏源极电阻 - 300 Ω -
耗散功率 - 300 mW -
漏源极电压(Vds) - 30 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
栅源击穿电压 - 30 V -
击穿电压 - 30 V -
输入电容(Ciss) - 8pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) - 300 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW -
长度 - 3 mm -
宽度 - 1.4 mm -
高度 - 1 mm -
封装 SOT-23 SOT-23-3 -
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2019/01/15 -
ECCN代码 - EAR99 -