PMBFJ174和PMBFJ177,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBFJ174 PMBFJ177,215 JANTXV2N5116

描述 PMBFJ174 P沟道结型场效应管 30 V =K40-20.0~-135.0mA SOT-23 marking/标记 W6XP 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。Trans JFET P-CH

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Solitron Devices

分类 JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

击穿电压 - 30.0 V -

漏源极电阻 - 300 Ω -

耗散功率 - 300 mW -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - 30 V -

击穿电压 - 30 V -

输入电容(Ciss) - 8pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2019/01/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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