IRF7301TRPBF和IRF7311TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7301TRPBF IRF7311TR IRF7301PBF

描述 INFINEON  IRF7301TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mVSOIC N-CH 20V 6.6AN 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.2A 6.6A 5.2A

上升时间 42 ns 17 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) 900pF @15V(Vds) 660pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 51 ns 31 ns 51 ns

额定功率 2 W - 2 W

漏源极电阻 0.05 Ω - 0.05 Ω

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 700 mV - 700 mV

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

针脚数 8 - -

输入电容 660 pF - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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