TLV2422ID和TLV2422QDG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422ID TLV2422QDG4 TLV2422IDG4

描述 高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSOp Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC Tube运算放大器 - 运放 Dual Wide Vin uPwr Rail-To-Rail Sgl-Spy

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 1 mA - ≤50 mA

供电电流 100 µA 100 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W - 725 mW

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K - 2.00 µV/K

带宽 52.0 kHz - 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs - 20.0 mV/μs

增益频宽积 52 kHz 52 kHz 0.052 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 52 kHz - -

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

电源电压(Max) - - 10 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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