70V3579S4BFG和70V3579S5BFI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3579S4BFG 70V3579S5BFI8 IDT70V3579S5DRI

描述 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAMIC SRAM 1.125Mbit 5NS 208CABGA高速3.3V 32K ×36同步流水式双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 FQFP

引脚数 208 208 -

安装方式 Surface Mount - -

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 FQFP

长度 15 mm 15.0 mm -

宽度 15 mm 15.0 mm -

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

高度 1.4 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tray

ECCN代码 - - 3A991

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V -

存取时间 4 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

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