CEDM8001 BK和CEDM8001 TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CEDM8001 BK CEDM8001 TR

描述 Mosfet p-Ch 20V 0.1A Sot-883CEDM8001 系列 20 V 8 ohm P 沟道 表面贴装 硅 Mosfet - SOT-883

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Central Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOT-883-3

漏源极电阻 - 8 Ω

耗散功率 - 100mW (Ta)

漏源极电压(Vds) - 20 V

漏源击穿电压 - 20 V

输入电容(Ciss) - 45pF @3V(Vds)

额定功率(Max) - 100 mW

耗散功率(Max) - 100mW (Ta)

封装 - SOT-883-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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