HN1D02FU和MMBD4448HCDW-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HN1D02FU MMBD4448HCDW-7-F HN1D02FU(TE85L,F)

描述 HN1D02FU 2对共阴极 开关二极管 80V 100mA/0.1A SOT-363/US6 marking/标记 A3 超高速开关MMBD4448HCDW-7-F 二极管, 500mA 80V 4ns 硅结型, 6针 SOT-363封装Diode Switching 85V 0.1A 6Pin US T/R

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Diodes (美台) Toshiba (东芝)

分类 二极管阵列二极管

基础参数对比

封装 US-6 SOT-363 US

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 US-6 SOT-363 US

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 250 mA -

电容 - 3.50 pF -

额定功率 - 200 mW -

正向电压 - 1.25 V -

耗散功率 - 200 mW -

反向恢复时间 - 4 ns -

正向电流 - 500 mA -

正向电压(Max) - 1.25V @150mA -

正向电流(Max) - 0.5 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

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