对比图
型号 2N6123 ZTX955STZ
描述 t-Npn Si-Pwr Amp双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
数据手册 --
制造商 NTE Electronics Diodes (美台)
分类 分立器件双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - E-Line-3
额定电压(DC) - -140 V
额定电流 - -3.00 A
极性 - PNP
耗散功率 - 1.2 W
击穿电压(集电极-发射极) - 140 V
集电极最大允许电流 - 3A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1A, 5V
额定功率(Max) - 1.2 W
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1200 mW
长度 - 4.77 mm
宽度 - 2.41 mm
高度 - 4.01 mm
封装 - E-Line-3
材质 - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Box
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC