IRF3709ZS和IRF3709ZSTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3709ZS IRF3709ZSTRRPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 87AN沟道 30V 87A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount

极性 N-CH N-Channel

产品系列 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 87A 87A

输入电容(Ciss) 2130pF @15V(Vds) 2130pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - -

耗散功率 79W (Tc) 79 W

输入电容 - 2130 pF

上升时间 - 41 ns

下降时间 - 4.7 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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