NCS2211DR2G和TS4871IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NCS2211DR2G TS4871IDT SSM2211SZ

描述 ON SEMICONDUCTOR  NCS2211DR2G  音频功率放大器, AB, 1通道, 1.5 W, 2.7V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚TS4871 系列 5.5 V 1 W 输出 轨对轨 1W 音频 功率放大器 - SOIC-8ANALOG DEVICES  SSM2211SZ  音频功率放大器, AB, 1通道, 1.5 W, 2.7V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ADI (亚德诺)

分类 音频放大器音频放大器音频放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 500 mA - -

供电电流 20 mA 8 mA 9.5 mA

电路数 1 1 -

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

增益频宽积 12 MHz 2 MHz 4 MHz

输出功率 1.5 W 1 W 1.5 W

输出电流(Max) 500 mA - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -20 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 6.00 V

额定功率 - - 1.5 W

共模抑制比 - - 65.0 dB

静态电流 - 6.00 mA 9.50 mA

带宽 - - 4 MHz

增益 - 20 dB 40 dB

输入补偿电压 - - 0.2 mV

耗散功率(Max) - - 633 mW

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2.5 V 2.7 V

输入电压(DC) - 1.20 V -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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