BF1206和BF1206,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1206 BF1206,115 BF1206F

描述 双N沟道双栅MOS -FET Dual N-channel dual-gate MOS-FETTrans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R双N沟道双栅MOSFET Dual N-channel dual gate MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-6 SOT-143-4 SOT-563

引脚数 - 6 -

频率 400 MHz 400 MHz -

额定电压(DC) 6.00 V - -

额定电流 30 mA 30 mA -

耗散功率 180 mW 180 mW -

漏源极电压(Vds) 6.00 V 6 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -

增益 30 dB 30 dB -

测试电流 18 mA 18 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定电压 6 V 6 V -

耗散功率(Max) - 180 mW -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm - -

封装 TSSOP-6 SOT-143-4 SOT-563

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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