SI2323DS-T1-E3和SI2323DS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-GE3 PMV65XP@215

描述 P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETP通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETTrans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 0.833 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -20.0 V

连续漏极电流(Ids) -4.70 A -4.70 A -3.90 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.039 Ω -

阈值电压 1 V 1 V -

上升时间 43 ns 43 ns -

输入电容(Ciss) 1020pF @10V(Vds) 1020pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 750 mW 750 mW -

下降时间 48 ns 48 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1250 mW 750mW (Ta) -

额定功率 1.25 W - -

漏源击穿电压 -20.0 V - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台