JANS2N2904和JANTX2N2904

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N2904 JANTX2N2904 2N2904

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORSilicon Pnp Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-39 TO-205 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

耗散功率 - 600 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 800 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 600 mW -

封装 TO-39 TO-205 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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