W631GU8KB-12和W631GU8KB-15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GU8KB-12 W631GU8KB-15 W631GU8KB12I

描述 1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 800MHz1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 667MHz1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 800MHz I

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 78 - -

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

位数 8 - -

工作温度(Max) 95 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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